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Módulo 2MBI100PC-140-02 con transistor IGBT de potencia semiconductor industrial Módulo 2MBI100PC-140-02 con transistor IGBT de potencia semiconductor industrial
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Módulo 2MBI100PC-140-02 con transistor IGBT de potencia semiconductor industrial

s1_AB0H4LWC4YC Disponible
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DESCRIPCIÓN

Eficiencia energética y rendimiento estable en potencia industrial

El componente semiconductor 2MBI100PC-140-02 está diseñado para integrarse de manera óptima en sistemas de alta exigencia donde la gestión de energía eléctrica es fundamental. Este módulo de transistores bipolares de puerta aislada proporciona una conmutación eficiente que reduce las pérdidas de calor, mejorando significativamente el rendimiento general de sus máquinas y garantizando un suministro eléctrico continuo sin interrupciones operativas.

Especificaciones técnicas del dispositivo

A continuación se detallan las características operativas estimadas para esta gama de módulos de potencia:

Parámetro TécnicoValor Estimado
Voltaje Colector-Emisor (Vces)1200 V / 1400 V
Corriente de Colector (Ic)100 A
Configuración de MóduloDual IGBT (2 en 1)
Temperatura de Trabajo-40 °C a +150 °C

Ventajas operativas en entornos exigentes

  • Estructura compacta: Facilita una instalación limpia dentro de armarios eléctricos con espacio limitado, optimizando la distribución interna.
  • Baja tensión de saturación: Minimiza el desperdicio energético en estado activo, lo que se traduce en un menor gasto de electricidad para su planta.
  • Aislamiento térmico superior: La base del módulo disipa el calor de forma constante, protegiendo los circuitos internos contra sobrecalentamientos destructivos.

Campos de aplicación comunes

Este dispositivo semiconductor se emplea de forma habitual en inversores de soldadura industrial, fuentes de alimentación ininterrumpida y sistemas de tracción eléctrica que requieren un control preciso de la corriente continua y alterna.

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