Valores Estructurales
| Parámetro Eléctrico | Rango de Trabajo |
|---|---|
| Referencia Comercial | Fp100r12kt4-b11 |
| Tensión de Puerta-Emisor | +/- 20V |
| Corriente Directa del Diodo | 100A |
| Topología Modular | PIM (Power Integrated Module) |
Este dispositivo semiconductor representa la vanguardia en el control electrónico de potencia variable. El módulo IGBT FP100R12KT4-B11 proporciona un paso suave de corriente en las fases del motor, reduciendo el desgaste mecánico de los rodamientos y engranajes acoplados. El beneficio directo para el usuario final es un funcionamiento silencioso de la maquinaria y una notable reducción del consumo energético general del sistema de tracción industrial.
El encapsulado hermético protege los chips de silicio contra el polvo conductor y la humedad moderada que suelen encontrarse en entornos fabriles pesados, como fundiciones o plantas de reciclaje de papel.
| Parámetro Eléctrico | Rango de Trabajo |
|---|---|
| Referencia Comercial | Fp100r12kt4-b11 |
| Tensión de Puerta-Emisor | +/- 20V |
| Corriente Directa del Diodo | 100A |
| Topología Modular | PIM (Power Integrated Module) |
Excelente para integradores de sistemas que desarrollan prototipos de inversores a medida o actualizan maquinaria industrial obsoleta.
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